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第376章 提前开香槟,海外的狂欢【求订阅】
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「这确实是个问题。」潘湛明点头附和道:「传统铝基结采用双角度蒸发工艺,自然氧化形成氧化铝绝缘层,但SC—57无法用简单氧化形成高质量势垒。」

「可以尝试下原子沉积技术,选择在薄膜上逐层生长一层,厚度精确到原子层的钛酸锶作为势垒。」

徐铭几乎没有任何迟疑,便主动讲出了自己的解决办法。

当话语悉数传进潘湛明的耳中,后者沉声重复低喃两句后,突然像是想通了什么关键之处。

脸上表情顷刻被巨大欣喜占据。

「对啊!」

「没错————是这样。」

「用这种方法,应该就能解决问题,我们居然没有想到。」

然徐铭的声音却并未停下,稍微让身体换了个更舒服的姿势,下秒又开口继续往下讲。

「还有————」

「关于量子比特的测控线路,SC—57有著高临界电流密度特点,不需要像传统设计那样,选择将控制线和晶片分开。」

「可以允许把部分线路,直接集成在晶片上。」

「量子比特阵列放在中间层,上下两层分别为微波控制线布线,和读出谐振腔与通孔互联。」

「光刻精度为五纳米。」

和以前情况不同,国产曙光极紫外光刻机,如今光刻精度早已突破5纳米。

在全球半导体行业内,处于领先地位。

各项保障全部到位下,只要确定了可行性的晶片设计方案,那么用不了多久,这枚将集成上万个物理量子比特的晶片,就可以从研发进入到流片阶段。

基本讲完方案中的问题,徐铭总算停了下来,留给研讨室内其他人消化内容的时间。

而此刻大家神情认真,思考上述方案,脸上除了震撼还是震撼。

万万没有想到,徐铭解决纳米薄膜的同时,竟还顺手连带上了晶片设计方案。

紧接著。

院长潘湛明率先举起手,拍板表态。

「我同意徐院的理论。」

有著院长带头,研讨室内的其他团队成员,自然也没有什么可犹豫的。

纷纷认可徐铭的修改意见,选择相信徐铭。

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