“想要突破28nm、向着14nm甚至更高制程迈进，我们不需要立刻研发全新的浸润式光刻机，最优破局路径，就是多重曝光叠加工艺。”

话音落下，全场技术人才纷纷凝神细听，不少人眼底带着疑惑。

2制程进步必须依靠全新设备、全新光源、全新光学系统迭代，几乎没人深耕多重曝光的叠加优化逻辑。

业内普遍认为多重曝光误差大、良率低、控制难度极高，不具备商用价值。

赵崇明抬手点开投影图纸，清晰展示出多层电路叠加刻蚀的完整逻辑，细致拆解核心突破点。

“多重曝光的核心原理，简单来说，就是把高精度复杂电路，拆分三次分层刻蚀。”

“第一次曝光，刻蚀底层基础电路架构，完成晶圆基底布线；第二次曝光，叠加中层高密度晶体管线路，填补空白制程区域；第三次曝光，完成顶层精细互联线路与绝缘层对位。”

“通过三次精准对位、分层刻蚀，我们可以在现有28nm光刻机的硬件基础上，压缩单次刻蚀线宽、叠加电路密度、提升晶圆利用率。”

在场所有人都是坐直了身体。

大家知道赵崇明的情况。

绝对是技术型人才。

人家可是带头弄了35nm光刻机和28nm光刻机的。

其能力……

在场的所有人见了他都要客客气气的。

那是真的一群老教授的心头宝。

“针对多重曝光对位偏差、良率下滑的痛点，我们配套三套优化方案。”

“第一，升级机器内部对位校准算法，引入微米级动态补偿系统，抵消多次曝光产生的机械误差，让三层线路对位精度无限趋近单次曝光标准。”

“第二，重构光罩设计逻辑，拆分复杂图形、规避重叠干涉，分层简化刻蚀难度，大幅降低短路、断路的工艺瑕疵。”

“第三，优化晶圆热管控与光刻胶固化流程，解决多次曝光叠加带来的热变形、胶层堆积问题，稳定整片晶圆的良率水平。”

赵崇明竖起了三根手指。

然后开始详细的说思路